COB封装
随着智能手机的飞速发展，人们对手机摄像头像素的要求越来越高，如今用传统的CSP封装工艺制造的手机摄像模组像素已达不到人们的需求，而用COB/COG/COF封装工艺制造的手机摄像模组已被大量的运用到了现在的千万像素的手机中，但其制造的良率因其工艺特性往往只有85%左右，而造成的手机良率不高的原因主要在于离心清洗机和超声波清洗做不到高洁净度的清洗holder及Pad表面污染物，致使holder与IR粘接力不高及bonding不良的问题，经等离子体处理后能超洁净的去除holder上的有机污染物和活化基材，使其与IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，极大的提升了banding的一次成功率。
半导体硅片（Wafer)
在IC芯片制造领域中，等离子体处理技术已是一种不可替代的成熟工艺，不论在芯片源离子的注入，还是晶元的镀膜，亦或是我们的低温等离子体表面处理设备所能达到的：在晶元表面去除氧化膜、有机物、去掩膜等超净化处理及表面活化提高晶元表面浸润性。
芯片粘接前处理
芯片与封装基板的粘接，往往是两种不同性质的材料，材料表面通常呈现为疏水性和惰性特征，其表面粘接性能较差，粘接过程中界面容易产生空隙，给密封封装后的芯片带来很大的隐患，对芯片与封装基板的表面进行等离子体处理能有效增加其表面活性，极大的改善粘接环氧树脂在其表面的流动性，提高芯片和封装基板的粘结浸润性，减少芯片与基板的分层，改善热传导能力，提高IC封装的可靠性、稳定性，增加产品的寿命。
优化引线键合（打线）
集成电路引线键合的质量对微电子器件的可靠性有决定性影响，键合区必须无污染物并具有良好的键合特性。污染物的存在，如氧化物、有机残渣等都会严重削弱引线键合的拉力值。传统的湿法清洗对键合区的污染物去除不彻底或者不能去除，而采用等离子体清洗能有效去除键合区的表面沾污并使其表面活化，能明显提高引线的键合拉力，极大的提高封装器件的可靠性。
