近日，普仕曼科技成功与赣州兮泓永磁达成合作

在半导体制造设备中，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要的设备，根据 SEMI 测算数据，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。刻蚀是利用化学或物理方法有选择地

在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出

刻蚀技术总述在20世纪60年代后期，湿法刻蚀曾经是低成本集成电路制造的关键技术。半导体工艺制程及芯片性能的不断迭代不断提升，随着制程进入六次微米级，基于化学反应的湿法刻蚀，已经跟不上芯片的精度要求了，

等离子体蚀刻可能是半导体制造中最重要的工艺，也可能是仅次于光刻的所有晶圆厂操作中最复杂的。几乎一半的晶圆制造步骤都依赖于等离子体，一种高能电离气体来完成它们的工作。尽管晶体管和存储单元不断缩小，工程师

CCP全称是Capacitively Coupled Plasma，即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺，能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。CCP工作原理：电容耦合等离子