3.3 烘烤试验为便捷有效地改善陶瓷基板表面严重的树脂溢出现象,将上述3个试验样件在200℃、100 Pa真空条件下烘烤2 h,进一步测量基板表面能并分析溢胶情况。真空烘烤后的样件表面能数据如表3所示。对比表1数据可以发现总表面能G、色散分量Rd和极性分量Rp均呈现下降趋势,这是由于在200℃下去除了基板表面部分易挥发的污染物,同时部分有机污染物被降解碳化。而样件2B和样件3B处的色散分量Rd增大是因为高温下污染物被降解碳化过程中同样会生成新的化合物附着在基板表面,从而导致两处色散分量略微增加。对烘烤处理后的3件基板在靠近之前点胶位置处进行溢胶试验,得到如表4所示的溢胶数据。烘烤后基板出现溢胶现象的时间显著推迟,并且溢胶距离也明显下降,如图8所示。结合前文中的试验数据可知真空烘烤通过去除基板表面污染物使得其表面极性官能团显著减少,从而降低了导电胶中树脂溢出的速度。从表4数据中还可以发现样件1A的极性分量(4.793 m J·m-2)低于样件3B的极性分量(6.042 m J·m-2),但是样件1A却先出现了溢胶现象且24 h后的溢胶距离也更大。这是因为溢胶问题不仅与基板表面极性污染相关,还与基板镀层表面形貌相关,不同批次基板烧结参数、烧结环境的差异都会影响基板溢胶情况。4结 论本文通过对LTCC陶瓷基板进行表面能测试、表面形貌分析和溢胶试验,证明了溢胶与基板表面极性污染的相关性。基板表面极性污染越多,溢胶情况越严重。陶瓷基板表面的极性污染成分为树脂润湿提供了良好的热力学前期条件。通过真空烘烤将附着于基板表面的污染成分去除、降解,从而明显改善了基板溢胶情况,延缓了溢胶的发生,为微组装过程中基板溢胶问题提供了便捷高效的解决方法。