中国科学院上海应用物理研究所（简称上海应物所）成立于1959年，原名中国科学院上海原子核研究所，2003年6月改为现名。拥有上海嘉定园区（约400亩）和甘肃武威园区（约1000亩）。上海应物所是国立综合性核科学技术研究机构，以钍基熔盐堆核能系统、高效能源存储与转换等先进能源科学技术为主要研究方向，同时兼顾核技术在环境、健康、材料领域的若干前沿应用研究，致力于熔盐堆、钍铀燃料循环、核能综合利用等领域

近日，普仕曼科技成功与赣州兮泓永磁达成合作

在半导体制造设备中，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要的设备，根据 SEMI 测算数据，光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。刻蚀是利用化学或物理方法有选择地

在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出

刻蚀技术总述在20世纪60年代后期，湿法刻蚀曾经是低成本集成电路制造的关键技术。半导体工艺制程及芯片性能的不断迭代不断提升，随着制程进入六次微米级，基于化学反应的湿法刻蚀，已经跟不上芯片的精度要求了，

等离子体蚀刻可能是半导体制造中最重要的工艺，也可能是仅次于光刻的所有晶圆厂操作中最复杂的。几乎一半的晶圆制造步骤都依赖于等离子体，一种高能电离气体来完成它们的工作。尽管晶体管和存储单元不断缩小，工程师

CCP全称是Capacitively Coupled Plasma，即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺，能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。CCP工作原理：电容耦合等离子

在芯片制程中，几乎所有的干法制程，如PVD，CVD,干法刻蚀等，都逃不过辉光放电现象。辉光放电，是一种在低压下电离气体的过程，它在半导体制程中的许多重要步骤中有着核心作用。那您知道什么是“启辉”吗？为

晶圆表面的亲水性与疏水性，一个很容易被人忽视的细节，可能影响到整个芯片的性能。从制备光刻胶涂层，到清洗过程，再到某些薄膜的制备，晶圆表面的湿润性影响着每一个关键步骤。今天将深入探讨这两种表面特性，解析

电子回旋共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR）利用电磁波（通常是微波）在磁场中产生的电子回旋共振来产生等离子体，然后利用这个等离子体来对半导体材料进行刻蚀。2.45G

干法刻蚀是一种使用气体或等离子对材料进行蚀刻的方法。它是微电子制造过程中的关键步骤之一，主要用于形成半导体芯片上的微细结构。什么是等离子体？ 等离子体是物质的第四种状态，除了常见的三种状态：固态、

大气等离子清洗机和真空等离子清洗机都是常用的等离子表面清洗方法，它们之间存在着很大的区别。本文将详细介绍这两种清洗机的工作原理、优缺点及适用范围。1.工作原理大气清洗机是一种通过喷射高速气流清洗表面的